5月25日，南车株洲电力机车研究所有限公司大功率IGBT产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动建设。中国南车股份有限公司董事长赵小刚，市委副书记、市长王群出席奠基仪式。
该项目总投资14亿元，占地160亩，预计2013年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过20亿元。
据了解，该项目除建设一条国际领先的8英寸IGBT芯片生产线外，还将建设9条满足不同行业用的IGBT模块生产线。产品电压等级从600伏到6500伏，满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求，成为我国首个完全依靠自主能力建设的、设计规模最大、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地。
该项目建成后，“南车株洲所”将成为国内唯一掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链企业，其技术实力达到国际领先水平（目前世界主流IGBT芯片生产线为6英寸），产业规模进入世界大功率半导体器件生产企业前三强，一举改变半导体器件核心技术受制于人，产品依赖进口的不利局面。
据悉，轨道交通、新能源、电动汽车等绿色经济产业，在未来十年甚至更长的时间，将保持每年20%-30%的高速增长。作为绿色经济的功率“核芯”，“南车株洲所”的IGBT技术研发，产品设计、制造与销售，都将面向全球布局，市场发展前景光明。 （王罗群 刘亚鹏）
